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连续含铝SiC自由膜的制备与发光特性研究

机译:连续含铝SiC自由膜的制备与发光特性研究

摘要

通过自制喷膜装置对聚铝碳硅烷(PACS)进行脱泡处理、熔融纺膜,并对其进行氧化交联、高温预烧及高温裂解终烧可制得连续含铝SiC自由薄膜。用扫描电镜(SEM)分析薄膜的形貌,通过红外光谱(FT-IR)分析氧化交联后薄膜的结构变化,通过电子探针(EPMA)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)与场发射高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜进行成分及微观结构分析,采用光致发光谱(PL)对薄膜的光学带隙和发光特性进行了研究。结果表明,熔融纺膜法与PACS先驱体法相结合可制得均匀、致密的耐高温连续含铝SiC自由薄膜,室温下表现出了320~440nm宽谱带发光,其发光峰可分别归因于-αSiC和C簇,且随着烧结温度的提高,发光强度增大。
机译:通过自制喷膜装置对聚铝碳硅烷(PACS)进行脱泡处理、熔融纺膜,并对其进行氧化交联、高温预烧及高温裂解终烧可制得连续含铝SiC自由薄膜。用扫描电镜(SEM)分析薄膜的形貌,通过红外光谱(FT-IR)分析氧化交联后薄膜的结构变化,通过电子探针(EPMA)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)与场发射高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜进行成分及微观结构分析,采用光致发光谱(PL)对薄膜的光学带隙和发光特性进行了研究。结果表明,熔融纺膜法与PACS先驱体法相结合可制得均匀、致密的耐高温连续含铝SiC自由薄膜,室温下表现出了320~440nm宽谱带发光,其发光峰可分别归因于-αSiC和C簇,且随着烧结温度的提高,发光强度增大。

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