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SrRuO3/SrTiO3/SrRuO3 heterostructures for magnetic tunnel junctions

机译:磁性隧道结的SrRuO3 / SrTiO3 / SrRuO3异质结构

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摘要

We report on the growth and characterization of SrRuO3 single layers and SrRuO3/SrTiO3/SrRuO3 heterostructures grown on SrTiO3(100) substrates. The thickness dependence of the coercivity was determined for these single layers. Heterostructures with barrier thickness tb=1, 2.5, and 4 nm were fabricated, with electrodes having thickness ranging from 10 to 100 nm. The hysteresis loops of heterostructures with tb=2.5¿nm, 4 nm reveal uncoupled magnetic switching of the electrodes. Therefore, these heterostructures can be used for the fabrication of magnetic tunneling junctions.
机译:我们报告生长和表征SrRuO3单层和SrTiO3(100)衬底上生长的SrRuO3 / SrTiO3 / SrRuO3异质结构。对于这些单层,确定了矫顽力的厚度依赖性。制作了势垒厚度为tb = 1、2.5和4 nm的异质结构,电极的厚度为10至100 nm。 tb = 2.5?nm,4 nm的异质结构的磁滞回线揭示了电极的非耦合磁开关。因此,这些异质结构可用于制造磁性隧道结。

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