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Carbon Doped Silicon Dioxide Low K Dielectric Material.QC585.75.S55 L732 2004 f rbMicrofiche 7649

机译：碳掺杂的二氧化硅低K介电材料。QC585.75.S55 L732 2004 f rb 微缩胶片7649

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Objektif kajian ini adalah untuk mengkaji keberkesanan mendopkan sebatian karbon keatas SiO2 untuk menghasilkan bahan dielektrik k rendah.ududThe semiconductor industry is entering a new millennium where scientists and engineers are continuing to search for the ideal dielectric material for future chip fabrication.

机译：这项研究的目的是研究在SiO2上提取碳化合物以生产低k介电材料的有效性半导体半导体行业正在进入一个新的千年，科学家和工程师正在继续寻找理想的介电材料以用于未来的芯片制造。

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作者
Lim Alex Ying Kiat;
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作者单位

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年度 2004
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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