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【2h】

Oxygen Defect-Induced Metastability in Oxide Semiconductors Probed by Gate Pulse Spectroscopy

机译：栅极脉冲光谱法探测氧化物半导体中的氧缺陷诱导的亚稳定性

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Lee Sungsik;
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年度 2015
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1. Oxygen Defect-Induced Metastability in Oxide Semiconductors Probed by Gate Pulse Spectroscopy [J] . Sungsik Lee, Arokia Nathan, Sanghun Jeon, Scientific reports. . 2015,第1期

机译：栅极脉冲光谱法探测氧化物半导体中的氧缺陷诱导的亚稳态
2. Oxygen Defect-Induced Metastability in Oxide Semiconductors Probed by Gate Pulse Spectroscopy [J] . Sungsik Lee, Arokia Nathan, Sanghun Jeon, Scientific reports. . 2015,第1期

机译：栅极脉冲光谱法探测氧化物半导体中的氧缺陷诱导的亚稳态
3. Plasma-oxidation of Ge(100) surfaces using dielectric barrier discharge investigated by metastable induced electron spectroscopy, ultraviolet photoelectron spectroscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy [J] . L. Wegewitz, S. Dahle, O. Hofft, Journal of Applied Physics . 2011,第3期

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4. We have investigated the interface and oxide defects in SiC/SiO_2 by electron paramagnetic resonance spectroscopy (EPR) using oxidised porous SiC of 4H and 6H polytypes. Two paramagnetic defects generated by 1000 deg C furnace oxidation in dry oxygen [C] . Krishna C. Saraswat, Chi On Chui, Paul C. Mclntyre, the International Symposium of Electrochemical Society . 2003

机译：通过4H和6H多型，通过电子顺磁共振光谱（EPR）研究了SiC / SiO_2中的界面和氧化物缺陷。在干氧中1000°C炉氧化产生的两个顺磁缺陷
5. Terahertz spectroscopy and laser induced infrared emission spectroscopy of nitromethane and optical properties of laser-induced carriers on semiconductor surfaces probed by a 10.6 micron wavelength carbon dioxide laser. [D] . Toyoda, Yoshimasa. 2008

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6. Oxygen Defect-Induced Metastability in Oxide Semiconductors Probed by Gate Pulse Spectroscopy [O] . Sungsik Lee, Arokia Nathan, Sanghun Jeon, -1

机译：栅极脉冲光谱法探测氧化物半导体中的氧缺陷诱导的亚稳定性
7. Oxygen Defect-Induced Metastability in Oxide Semiconductors Probed by Gate Pulse Spectroscopy [O] . Lee Sungsik, Nathan Arokia, Jeon Sanghun, 2015

机译：栅极脉冲光谱法探测氧化物半导体中的氧缺陷诱导的亚稳定性

Oxygen Defect-Induced Metastability in Oxide Semiconductors Probed by Gate Pulse Spectroscopy

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