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【2h】

Special Issue: Characterization of Crystal Growing Surface by 'In-Situ Photon-Probing'. In Situ Characterization of GaAs and InP Surfaces by Surface Photo-Absorption during Chloride Atomic Layer Epitaxy.

机译：特别问题：“原位光子探测”晶体生长表面的表征。在氯化物原子层外延表面光吸收的GaAs和InP表面的原位表征。

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作者
Kenichi NISHI; Akira USUI; Hiroyuki SAKAKI;
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年度 1993
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