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0.67‐μm 2 /bitcell two‐transistor leakage‐based physically unclonable function with native bit‐instability of 0.89 at 65 nm

机译：0.67-μm2 /位电池两晶体管泄漏的物理上不可渗透功能，目的位 - 不稳定性为0.89％，65 nm

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Gang Li; Pengjun Wang; Xuejiao Ma; Bo Chen;
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年度 2020
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1. 0.67-μm2/bitcell two-transistor leakage-based physically unclonable function with native bit-instability of 0.89% at 65 nm [J] . Li Gang, Wang Pengjun, Ma Xuejiao, Electronics Letters . 2020,第23期

机译：0.67-μm2/位电池双晶体管泄漏的物理上不可渗透功能，目的位不稳定为0.89％，65 nm
2. Static Physically Unclonable Functions for Secure Chip Identification With 1.9–5.8% Native Bit Instability at 0.6–1 V and 15 fJ/bit in 65 nm [J] . Anastacia B. Alvarez, Wenfeng Zhao, Massimo Alioto IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2016,第3期

机译：静态物理上无法克隆的功能，可确保芯片识别安全，在0.6–1 V和65 nm的15 fJ / bit时具有1.9–5.8％的固有位不稳定性
3. A 215-F² Bistable Physically Unclonable Function With an ACF of <0.005 and a Native Bit Instability of 2.05% in 65-nm CMOS Process [J] . Gang Li, Pengjun Wang, Xuejiao Ma, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on . 2020,第11期

机译：215平方米的双稳态物理不可渗透功能，ACF为<0.005，目的位不稳定为2.05％，在65-NM CMOS过程中
4. A 3.07μm2/bitcell physically unclonable function with 3.5 and 1 bit-instability across 0 to 80°C and 0.6 to 1.2V in a 65nm CMOS [C] . Jiangyi Li, Mingoo Seok Symposium on VLSI Circuits . 2015

机译：3.07μm 2 / bitcell物理不可克隆的功能，在65nm CMOS中在0至80°C和0.6至1.2V的电压下具有3.5％和1％的位不稳定性
5. Physically Unclonable Functions Based on Voltage Divider Arrays of Mosfets Operating in Subthreshold Region [D] . Venkatasubramaniyan, Aishwarya Bahudhanam. 2018

机译：亚阈值区域中基于Mosfets分压器阵列的物理上不可克隆的函数
6. Trusted Cameras on Mobile Devices Based on SRAM Physically Unclonable Functions [O] . Rosario Arjona, Miguel A. Prada-Delgado, Javier Arcenegui, 2018

机译：基于SRAM物理上不可克隆的功能的移动设备上的受信任相机
7. Analysis of the Effect of Temperature and Vdd on Leakage Current in Conventional 6TSRAM BitCell at 90nm and 65nm Technology [O] . Neeraj Kr.Shukla, Shilpi Birla, Kapil Rathi, 2011

机译：90nm和65nm技术在常规6TSRAM位细胞中温度和VDD对漏电流影响的分析

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