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【2h】

Broadband Terahertz Power Detectors Based on 90-nm Silicon CMOS Transistors With Flat Responsivity Up to 2.2 THz

机译：宽带太赫兹功率探测器基于90-NM硅CMOS晶体管，平面响应率高达2.2至THz

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Kestutis Ikamas; Dovile Cibiraite; Alvydas Lisauskas; Maris Bauer; Viktor Krozer; Hartmut G. Roskos;
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年度 2018
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1. Correction to “Broadband Terahertz Power Detectors Based on 90-nm Silicon CMOS Transistors With Flat Responsivity Up to 2.2 THz” [J] . Ikamas Kestutis, Cibiraite Dovile, Lisauskas Alvydas, IEEE Electron Device Letters . 2019,第2期

机译：对“基于90nm平坦响应高达2.2THz的90nm硅CMOS晶体管的宽带太赫兹功率检测器”的修正
2. Rational design of high-responsivity detectors of terahertz radiation based on distributed self-mixing in silicon field-effect transistors [J] . Alvydas Lisauskas, Ullrich Pfeiffer, Erik OEjefors, Journal of Applied Physics . 2009,第11期

机译：硅场效应晶体管中基于分布自混合的太赫兹辐射高响应度探测器的合理设计
3. Optimization of the Design of Terahertz Detectors Based on Si CMOS and AlGaN/GaN Field-Effect Transistors [J] . Maris Bauer, Sebastian Boppel, Jingshui Zhang, International Journal of High Speed Electronics and Systems: Devices, Integrated Circuits and Systems, Optical and Quantum Electronics . 2016,第3a4期

机译：基于Si CMOS和AlGaN / GaN场效应晶体管的太赫兹探测器设计的优化
4. Terahertz responsivity enhancement of silicon CMOS transistor-based detectors using a current bias [C] . Boppel S., Lisauskas A., Voltolina F., 35th International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz Waves . 2010

机译：使用电流偏置增强基于CMOS的硅CMOS探测器的太赫兹响应度
5. Silicon CMOS FETs as terahertz and sub -terahertz detectors [D] . Stillman, William J. 2008

机译：硅CMOS FET作为太赫兹和次太赫兹检测器
6. An RF Energy Harvester System Using UHF Micropower CMOS Rectifier Based on a Diode Connected CMOS Transistor [O] . Mohammad Reza Shokrani, Mojtaba Khoddam, Mohd Nizar B. Hamidon, -1

机译：使用基于二极管连接的CMOS晶体管的UHF微功率CMOS整流器的射频能量采集系统
7. Homodyne Spectroscopy with Broadband Terahertz Power Detector Based on 90-nm Silicon CMOS Transistor [O] . Kęstutis Ikamas, Dmytro B. But, Alvydas Lisauskas 2021

机译：基于90-NM硅CMOS晶体管的宽带太赫兹功率探测器具有鞋类光谱

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