一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管太赫兹探测器天线

摘要

本发明公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)太赫兹探测器天线，属于天线领域。本发明包括T型开槽的半圆形微带贴片(Patch)天线；Si基FET，低噪声放大器；其中半圆形微带贴片天线用于接收THz波，同时把接收到的THz波转化为电信号给FET，FET把高频信号转化为低频信号给低噪声放大器，信号经过低噪声放大器后最终能实现对THz信号的探测。本发明在安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域具有重要应用。