首页> 外文OA文献 >Electron energy spectrum in a spherical quantum dot with smooth confinement
【2h】

Electron energy spectrum in a spherical quantum dot with smooth confinement

机译:具有光滑约束的球形量子点中的电子能谱

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

The electron energy spectrum in a quantum dot (QD) with smoothuddependences of the quasiparticle potential energy and the effective mass at the interfaceudbetween semiconductor media is calculated in the effective mass approximation. It isudshown that the electron energy corrections due to the tailing of the interface areudnonmonotonous functions of the QD radius, the increasing of which brings to the rapidudincreasing of shifts, reaching their maxima, and slowly decreasing for the QDs of bigudsizes. The calculations prove that the relative corrections for the different electron energyudlevels in a spherical QD are placed closer to each other with increase in the radius. Theudgrowth of the parameter of interface tailing leads to the proportional increase in theudcorrections to electron energy spectra. Numerical calculations are performed forudHgS/CdS and GaAs/AlxGa₁₋xAs QDs, all dependences being qualitatively similar.
机译:以有效质量近似计算量子点(QD)中的电子能谱,该量子点与准粒子势能和半导体介质之间的界面处的有效质量具有平滑/非依赖性。 上 u003d u003e 那里产品上生产出来的都是由于界面拖尾引起的电子能量校正 QD半径的非单调函数,其增加导致位移的快速减小,达到最大值,而对于大QDs则缓慢减小。 udsizes。计算结果表明,随着半径的增加,球形量子点中不同电子能级的相对校正值彼此靠近。界面拖尾参数的过大导致电子能谱的过错成比例增加。对 udHgS / CdS和GaAs /AlxGa₁₋xAsQD进行了数值计算,所有相关性在质量上都是相似的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号