机译:利用基于电压的65nm CMOS电压组合功率的60GHz高输出功率堆叠FET功率放大器的设计
机译:在90nm低功耗CMOS中使用双辐射对称架构的60GHz功率放大器设计
机译:一个60 GHz功率放大器,P-sat为13.1 dBm,PAE为11%,在60 nm短距离通信系统的90 nm CMOS中具有出色的匹配性
机译:大型集成45nm CMOS的完全集成式60GHz分布式变压器功率放大器
机译:基于Wilkinson Combiner方法的130nm CMOS技术中10GHz RF功率放大器设计
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:采用45nm SOI CMOS的全集成60 GHz功率放大器
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。