机译:生长在变质缓冲层上的低应变量子级联激光有源区,用于在3.0-4.0; C; m波长范围内发射
机译:在变质缓冲层上生长的InGaAs / AlInAs应变补偿超晶格,用于低应变,3.6 um发射量子级联激光有源区
机译:λ≈4.8μm量子级联激光器的InP / Si变质缓冲层上的Ⅲ-Ⅴ超晶格
机译:变质缓冲层上的量子级联激光有源区
机译:半红外线发射量子级联激光在变质缓冲层上
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:在变质缓冲层上的λ〜3.0至3.5微米发光量子级联激光器的设计考虑因素
机译:在(al)GaInsb组成梯度变质缓冲层上生长的3微米二极管激光器。