机译:具有用于MLC NAND闪存的临时LSB存储和并行MSB编程方案的零单元间干扰页面架构
机译:具有新验证方案和折叠式位线架构的65 ns 3 V纯正NAND闪存
机译:用于企业固态驱动器铁电与NAND闪存的ΔV_(TH)= 1/6△V_(ERASE)的负字线电压负增量擦除脉冲方案
机译:具有优化的脉冲宽度编程的144 Mb 8级NAND闪存
机译:基于逻辑兼容嵌入式闪存技术的非挥发性神经形态计算
机译:具有脉冲宽度调制方案的NAND闪存架构的神经形态计算
机译:自适应脉冲编程方案,用于提高3D NAND闪存中的Vth分布和节目性能