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【2h】

Ptychography as a wavefront sensor for high-numerical aperture extreme ultraviolet lithography: analysis and limitations

机译：PTychography作为高数孔径极端紫外线光刻的波前传感器：分析和限制

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Priya Dwivedi; Silvania F. Pereira; H. Paul Urbach;
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年度 2019
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1. Ptychography as a wavefront sensor for high-numerical aperture extreme ultraviolet lithography: analysis and limitations [J] . Priya Dwivedi, Silvania F. Pereira, H. Paul Urbach Optical engineering . 2019,第4期

机译：Ptychography作为高数值孔径极紫外光刻的波前传感器：分析和局限性
2. Ptychography as a wavefront sensor for high-numerical aperture extreme ultraviolet lithography: analysis and limitations [J] . Priya Dwivedi, Silvania F. Pereira, H. Paul Urbach Optical engineering . 2019,第4期

机译：PTychography作为高数孔径极端紫外线光刻的波前传感器：分析和限制
3. High-numerical aperture extreme ultraviolet scanner for 8-nm lithography and beyond [J] . Jan van Schoot, Eelco van Setten, Gijsbert Rispens, Journal of microanolithography, MEMS, and MOEMS . 2017,第4期

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4. Alternative materials for high numerical aperture extreme ultraviolet lithography mask stacks [C] . Obert Wood, Sudhar Raghunathan, Pawitter Mangat, Conference on extreme ultraviolet lithography VI . 2015

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8. Update on the SEMATECH 0.5 NA Extreme-Ultraviolet Lithography (EUVL) Micro-Field Exposure Tool (MET). Conference: SPIE - Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography V, San Jose, CA, February 23, 2014; Related Information: Journal.Publication Date: 90481M. [R] . Cummings, K., Ashworth, D., Bremer, M., 2014

机译：更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻（EUVL）微场曝光工具（mET）。会议：spIE - 极紫外（EUV）光刻V，加利福尼亚州圣何塞，2014年2月23日;相关信息：Journal.publication日期：90481m。

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