机译:基于化学气相沉积的多晶硅工艺的研制(相1)。 1979年10月6日第一次季度进展报告
机译:多晶硅流化床化学气相沉积技术的挑战与进展
机译:化学气相沉积过程中多晶硅沉积特性的数值模拟
机译:计算流体力学方法开发多晶硅化学气相沉积反应器
机译:大气均匀辉光放电等离子体(OAUGDP®)在等离子体化学气相沉积(PCVD)中的应用进展报告
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)异质外延Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的合成:工艺条件对结构/形态和功能特性的影响
机译:基于化学气相沉积的多晶硅过程的开发:第1阶段第三季度进度报告,1980年4月1日至6月30日