机译:新的CVD化学沉积和Al2O3 / Si栅堆叠的能带对准
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机译:通过β-Ga2O3(-201)上的原子层沉积所沉积的(HfO2)(x)(Al2O3)(1-x)栅极电介质的能带对准
机译:用于高级栅堆叠电介质的高k材料:ALCVD和MOCVD作为沉积技术的比较
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机译:等离子体增强原子层沉积法原位形成SiO2中间层的HfO2 / Ge叠层的界面电和能带对准特性
机译:二甲基氢化铝衍生的氧氮化铝钝化层对HfTiO-InGaas栅堆叠界面化学和能带对准的影响
机译:化学气相沉积中的对流和化学效应:硅沉积的三维分析