Flow distribution; Chemical reactors; Computation; Mathematical models; Radio frequencies; Plasma devices; Velocity; Temperature;
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:薄膜纳米晶体硅特性对射频等离子体增强化学气相沉积(rf PECVD)参数的敏感性
机译:通过射频等离子体增强化学气相沉积法低温生长碳纳米结构(通过RF-PECVD低温生长碳纳米结构)
机译:在微流体分配器设备中作为牺牲层的亚大气化学气相沉积(SACVD)O3-TEOS UGS,BPSG,PSG和等离子增强化学气相沉积(PECVD)PSG膜的研究
机译:射频感应热等离子体中金刚石化学气相沉积的模型
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响
机译:二维CVD(化学气相沉积)反应器中的si沉积速率及与模型计算的比较。