Boron Carbides; A Codes; Argon Ions; Boron Ions; Carbon Ions; Computerized Simulation; Deuterium Ions; EV Range; Helium Ions; Hydrogen Ions; KeV Range; Krypton Ions; Neon Ions; Numerical Solution; Sputtering; Theoretical Data; Tritium Ions; Tables(data);
机译:正常入射下单分子态离子诱导的溅射产率的能量依赖性
机译:垂直入射下纳米液滴轰击下Si,SiC和B_4C的溅射产量
机译:低能氙离子轰击在正常和倾斜入射下钼的差分溅射产量分布
机译:斜入射时离子推进器材料的溅射产量
机译:非垂直入射反应磁控溅射制备的金属氮化物(氮化铝,氮化钛,氮化ha)薄膜的织构演变。
机译:水冰的C60和Au3轰击的溅射产率与入射动能的关系
机译:正常入射下单能离子辐照B4C的溅射产率公式
机译:离子诱导溅射的能量依赖性在正常入射时由单原子固体产生