Annealing ; Heterojunctions ; Interfaces ; MOSFET ; Passivation ; Deuterium ; Electrical Properties ; Experimental Data ; Hydrogen ; Nitrogen ; Service Life ; Silicon ; Silicon Oxides ; Meetings ; Tables(data);
机译:钾离子对SiO_2 / 4H-SiC界面处的界面陷阱的钝化和钝化
机译:电子照射诱导在室温下金属氧化物/ Si界面处的无定形SiO 2形成;界面上的电子束写入
机译:与从多晶硅/ SiO / sub 2 /界面进行电子隧穿相比,评估从Si / SiO / sub 2 /界面进行电子隧穿的Q / sub bd /
机译:钾离子对SiO_2 / 4H-SiC界面陷阱的钝化和去钝化作用
机译:碳化硅半导体和SiC-SiO(2)界面的电特性。
机译:室温下电子辐照在金属氧化物/ Si界面上形成无定形SiO2;在界面上写入电子束
机译:电子诱导的H和D终止si / siO {sub 2}界面的钝化
机译:电子诱导的H和D终止si / siO(sub 2)界面的耗尽