机译:钾离子对SiO_2 / 4H-SiC界面处的界面陷阱的钝化和钝化
Science Institute, University of Iceland, IS-107 Reykjavik, Iceland;
Science Institute, University of Iceland, IS-107 Reykjavik, Iceland;
interface states; passivation; alkali metals; oxidation;
机译:氮化硅薄层的氧化钝化4H-SiC / SiO_2界面陷阱
机译:4H-SiC / SiO_2界面附近的单个碳相关氧化物空穴陷阱的结构,键合和钝化
机译:氮钝化前后4H-SiC / SiO_2结构的总近界面陷阱密度计算
机译:钾离子对SiO_2 / 4H-SiC界面陷阱的钝化和去钝化作用
机译:氮气和氢气在二氧化硅/ 4H-碳化硅界面处引起陷阱钝化。
机译:揭示光电化学性能与界面孔俘获的关系
机译:al $ _2 $ O $ _3 $ / 4H-siC和al的近界陷阱比较 al $ _2 $ O $ _3 $ / siO $ _2 $ / 4H-siC结构