Semiconductor Lasers; Laser Materials; Population Inversion; Germanium; Far Infrared Radiation; Doped Materials; Stresses; Gallium; Beryllium; Copper; Holes;
机译:单轴应力锗的价带结构和空穴有效质量
机译:单轴应变锗的中心内种群反转导致的连续激发太赫兹发射
机译:任意取向衬底上无应变单轴应力硅中空穴反转层迁移率的微观建模
机译:具有e-Si_(0.7)Ge_(0.3)应力转移层和源/漏应力源的绝缘子上硅锗衬底上的单轴应变n FET
机译:单轴应力p型锗中的电子过程
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:单轴应力下硅反转层空穴迁移的物理模拟