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公开/公告号CN107887430A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆邮电大学;
申请/专利号CN201711098314.X
发明设计人 王冠宇;于明道;苗乃丹;周春宇;宋琦;王巍;袁军;
申请日2017-11-09
分类号H01L29/737(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构50212 重庆博凯知识产权代理有限公司;
代理人伍伦辰
地址 400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号
入库时间 2023-06-19 04:59:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/737 申请日:20171109
实质审查的生效
2018-04-06
公开
机译: 高锗浓度形成硅锗应力的方法,该方法能够通过实施热扩散过程而由第二硅锗层形成硅锗应力
机译: 在硅半导体衬底中制造用于将物质施加到皮肤中的半锥形微针的方法,包括在硅半导体衬底的正面的外表面上施加和构造掩蔽层。
机译: 硅/硅锗异质结双极晶体管的制造方法
机译:具有任意衬底和沟道方向的双轴和单轴应力硅锗层的带偏移
机译:结晶硅和锗的表面损伤引起的块均质单轴应力
机译:任意取向衬底上无应变单轴应力硅中空穴反转层迁移率的微观建模
机译:具有e-Si 0.7 inf> Ge 0.3 inf>应力转移层和源/漏应力源的绝缘体上硅锗衬底上的单轴应变硅n-FET
机译:硅锗异质结双极晶体管的混合模式可靠性应力。
机译:通过简便的软硬模板方法在硅/二氧化硅衬底上自底向上制造石墨烯
机译:由锗植入制造的SiGe异质结双极晶体管的多晶硅发射器中的锗扩散
机译:单轴应力晶体的表面效应:硅和锗的内应变参数修正