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衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管及其制造方法

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本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1‑yGey材料形成集电区引出端，y为自然数且0

著录项

公开/公告号CN107887430A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-06

原文格式PDF
申请/专利权人重庆邮电大学;
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申请/专利号CN201711098314.X
发明设计人王冠宇;于明道;苗乃丹;周春宇;宋琦;王巍;袁军;
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申请日2017-11-09
分类号H01L29/737(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构50212 重庆博凯知识产权代理有限公司;
代理人伍伦辰
地址 400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号
入库时间 2023-06-19 04:59:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/737 申请日:20171109

实质审查的生效
2018-04-06

公开

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