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衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管,包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区,单晶Si衬底上有两个凹槽,两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1‑yGey材料形成集电区引出端,y为自然数且0

著录项

  • 公开/公告号CN107887430A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆邮电大学;

    申请/专利号CN201711098314.X

  • 申请日2017-11-09

  • 分类号H01L29/737(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/331(20060101);

  • 代理机构50212 重庆博凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人伍伦辰

  • 地址 400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号

  • 入库时间 2023-06-19 04:59:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/737 申请日:20171109

    实质审查的生效

  • 2018-04-06

    公开

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