University of California Berkeley;
机译:单轴压力和强电场作用下p型锗的远红外辐射的偏振
机译:沟道宽度和虚拟长度对带有硅锗合金应力源的p型金属氧化物半导体场效应晶体管性能增强的影响
机译:应变转移层的概念以及与渐变硅锗源极/漏极应力源的集成,以增强p型场效应晶体管的性能
机译:具有e-Si_(0.7)Ge_(0.3)应力转移层和源/漏应力源的绝缘子上硅锗衬底上的单轴应变n FET
机译:硅锗MEMS与CMOS电子模块模块化集成的新工艺。
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:单轴应力p型锗中热载流子分布函数的确定
机译:单轴应力对p型锗和硅中受体基态和跳跃传导的影响