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Power MOSFET Usage in Radiation Environments: Circuit Design Techniques and Improved Fabrication Methods

机译：功率mOsFET在辐射环境中的应用：电路设计技术和改进的制造方法

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This paper will discuss circuit design techniques which will permit the use of commercial power MOSFETs in severe transient ionizing radiation environments. In addition, new MOSFET fabrication techniques will be discussed for devices which have survived exposures up to 1 x 10 sup 12 rad(Si)/s. (ERA citation 11:057039)

著录项

作者
Fischer, T. A.; Dawes, W. R.; Huang, C. C. C.; Blanchard, R. A.; Fortier, T. J.;
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作者单位

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年度 1986
页码 1-7
总页数 7
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
MOSFET; Design; Electronic Circuits; Fabrication; Physical Radiation Effects;

机译：mOsFET;设计;电子电路;制造;物理辐射效应;

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