Capacitors; Thin Film Storage Devices; Fatigue; Ferroelectric Materials; Integrated Circuits; Mechanical Properties; PZT; Radiation Hardening; Temperature Effects; Thin Films; Meetings; CMOS; EDB/360605; EDB/440200; EDB/990200; Semiconductors;
机译:使用铁电HF0.5 ZR0.5O2薄膜改善金属铁电 - 绝缘体 - 半导体电容器非易失性存储器特性的设计策略
机译:用于非易失性存储应用的Cr掺杂BiFeO3铁电薄膜的物理和电气特性
机译:包含极化反转响应的SrBi / sub 2 / TaO / sub 9 /薄膜电容器模型,用于铁电非易失性存储器的纳秒范围电路仿真
机译:用于铁电非易失性存储应用的铌酸锂薄膜的处理和表征。
机译:夹有超薄铁电薄膜的出色低压操作柔性铁电有机晶体管非易失性存储器
机译:氧化物半导体薄膜与基于松弛的铁电单晶的整合,具有大的可逆和非易失性的电子性能调制
机译:用于非易失性存储器的薄膜铁电电容器的特性和表征