首页> 美国政府科技报告 >Reactive Sputter Etching of Si, SiO(2), Cr, Al, and Other Materials with Gas Mixtures Based on CF(4) and Cl sub 2(a).

【24h】

Reactive Sputter Etching of Si, SiO(2), Cr, Al, and Other Materials with Gas Mixtures Based on CF(4) and Cl sub 2(a).

机译：基于CF（4）和Cl sub 2（a）的气体混合物对si，siO（2），Cr，al和其他材料的反应溅射蚀刻。

获取原文

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

No abstract available.

著录项

作者
Horwitz, C. M.; Melngailis, J.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1981
页码 1-7
总页数 7
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Silicon; Silicon dioxide; Chromium; Aluminum; Etching; Sputtering; Carbon tetrafluoride; Chlorine; Mixtures; Gases; Vacuum; Masking; Reprints;

机译：硅;二氧化硅;铬;铝;蚀刻;溅射;四氟化碳;氯;混合物;气体;真空;掩蔽;重印;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. High dispersion of heteropolyacid nanoparticles on hydrothermally Cs-modified three-dimensionally ordered macroporous SiO2 with excellent selectivity in methacrolein oxidation [J] . Heng Zhang, Junqi Liu, Chenyuan Liu, 中国化学工程学报（英文版） . 2020,第011期
2. Lactobacillus plantarum CCFM8610 Alleviates Irritable Bowel Syndrome and Prevents Gut Microbiota Dysbiosis:A Randomized,Double-Blind,Placebo-Controlled,Pilot Clinical Trial [J] . Yang Liu, Qixiao Zhai, Wei Chen, 工程（英文） . 2021,第003期
3. Lactobacillus plantarum CCFM8610 Alleviates Irritable Bowel Syndrome and Prevents Gut Microbiota Dysbiosis:A Randomized,Double-Blind,Placebo-Controlled,Pilot Clinical Trial [J] . Yang Liu, Xinjie Yu, Leilei Yu, 工程（英文） . 2021,第003期
4. Inductively coupled plasma reactive ion etching of Ge-SiO2 and SiON using C2F6 and NF3-based gas mixtures [J] . N.-J. Kim, S.-Y. Lee, G.-K. Lee, Diffusion and Defect Data. Solid State Data, Part B. Solid State Phenomena . 2007,第1期

机译：使用C2F6和NF3基气体混合物对Ge-SiO2和SiON进行电感耦合等离子体反应离子刻蚀
5. Liquid Crystal Alignment Properties of Inorganic SiO_2 Layers Prepared by Reactive Sputtering in Nitrogen-Argon Mixtures [J] . Shi-Joon Sung, Eun Ae Jung, Kee-Jeong Yang Molecular crystals and liquid crystals . 2009,第507期

机译：氮氩混合物中反应溅射制备的无机SiO_2层的液晶取向性能
6. 4 + C 4F 8 + Ar Mixture on the Parameters of Plasma and SiO 2/Si Etching Selectivity]]> [J] . A. M. Efremov, D. B. Murin, K.-H. Kwon Russian Microelectronics . 2018,第4期

机译：<！[cdata [关于氟碳组分浓度的效果，Cf <下标> 4 + c <下标> 4 f <下标> 8 + ar混合物等离子体和SiO <下标> 2 / si蚀刻选择性的参数]>
7. Inductively coupled plasma reactive ion etching of Ge-SiO_2 and SiON using C_2F_6 and NF_3-based gas mixtures [C] . N.-J. Kim, S.-Y. Lee, G.-K. Lee, IUMRS International Conference in Asia . 2007

机译：使用C_2F_6和基于NF_3的气体混合物的Ge-SiO_2和Sion的电感耦合等离子体反应离子蚀刻
8. Optimization of the reactive magnetron sputter deposition, and studies of hydrogen diffusion in hydrogenated amorphous silicon based materials. [D] . Liang, Yuehai Harry. 1996

机译：反应磁控溅射沉积的优化，以及氢在氢化非晶硅基材料中的扩散研究。
9. On Relationships between Gas-Phase Chemistry and Reactive Ion Etching Kinetics for Silicon-Based Thin Films (SiC SiO [O] . Alexander Efremov, Byung Jun Lee, Kwang-Ho Kwon 2021

机译：硅基薄膜气相化学与反应离子蚀刻动力学的关系（SiCSiO
10. FEATURES OF SiO2 REACTIVE-ION ETCHING KINETICS IN CF4 + Ar + O2 AND C4F8 + Ar + O2 GAS MIXTURES [O] . Alexander M. Efremov, Alexander M. Sobolev 2020

机译：CF4 + Ar + O2和C4F8 + Ar + O2气体混合物中SiO2反应离子蚀刻动力学的特征
11. Reactive Sputter Etching of Si, SiO(2), Cr, Al, and Other Materials with Gas Mixtures Based on CF(4) and Cl sub 2(a) [R] . Horwitz, C. M., Melngailis, J. 1981

机译：基于CF（4）和Cl sub 2（a）的气体混合物对si，siO（2），Cr，al和其他材料的反应溅射蚀刻

Reactive Sputter Etching of Si, SiO(2), Cr, Al, and Other Materials with Gas Mixtures Based on CF(4) and Cl sub 2(a).

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅