Chemical precipitation; Czochralski crystals; Oxygen; Silicon; Carbon; Defect analysis; Defects(Materials); Heat treatment; Electron irradiation; Transient radiation effects; Impurities; Concentration(Chemistry); Reprints;
机译:正硅An灭研究硅中富氧和富硅SiO_2薄膜中的纳米析出物:空位样缺陷的作用
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机译:电子辐照锡掺杂硅中氧和碳沉淀过程的红外研究
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机译:新型介孔结构电解质:介孔二氧化硅-碳(12)E氧(10)羟基-三氟甲烷磺酸和介孔二氧化硅-碳(12)E氧(10)羟基-三氟甲烷磺酸锂的合成与表征。
机译:注入碳离子的Cz和FZ硅晶体中氧配合物的结构和电学性质
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机译:碳氧复合物作为Czochralski硅中氧沉淀的核。