Transistors; Mobility; Gallium arsenides; Electrons; Field effect transistors; Velocity; Schottky barrier devices; Distribution; Gates(Circuits); Monte carlo method; Cryogenics; Substrates; Simulation; Drift; Reprints; Diffusion;
机译:使用集成蒙特卡罗方法计算高电子迁移率晶体管中的电子速度分布
机译:用蒙特卡洛通量模拟获得的电子速度分布函数的基准计算
机译:蒙特卡洛模拟研究栅极凹陷结构对基于InP的高电子迁移率晶体管中电子输运的影响
机译:电子迁移率计算的4H-SiC集成蒙特卡洛模拟
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:勘误表:电子束电子蒙特卡罗剂量计算算法的评估
机译:蒙特卡罗分析隔离闸门中的冲击电离分析/ ALSB高电子迁移率晶体管
机译:高电子迁移率晶体管中准二维电子气的monte Carlo研究