Semiconductors; Quantum electronics; Profiles; Quantum theory; Reprints;
机译:重硼掺杂对Si_(1-x)Ge_x / Si界面价带偏移和Si_(1-x)Ge_x带隙的影响
机译:应变对重要的III-V量子阱的能带偏移的影响:In_xGa_(1-x)N / GaN,GaAs / In_xGaGa(1-x)P和In_xGa_(1-x)As / AlGaAs
机译:In_xga_(1-x)n / gan量子阱的能带排列计算:应变对能带偏移的影响
机译:菌株对III-V量子阱的带偏移的影响:IN_XGA_(1-x)P / GAA,IN_XGA_(1-x)AS / AL_(0.2)GA_(0.8)AS和IN_XGA_(1-x)n /甘
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
机译:纳米复合材料(BaTiO3)1-x:(Sm2O3)x薄膜中垂直界面诱导的介电弛豫
机译:用硬X射线光电子能谱法测量天然氧化物/ BaSi2界面处的价带偏移
机译:静水压下Gaas-Ga(1-x)al(x)作为量子阱的光谱研究