Field effect transistors; Dislocations; Layers; Gallium arsenides; Conduction bands; Discontinuities; Edges; Substrates; Mobility; Room temperature; Optimization; Saturation; Velocity; Channels; High frequency; Operation; Millimeter waves; Resonant frequency;
机译:具有GaAs / AlGaAs超晶格缓冲层的Al_(0.2)Ga_(0.8)As / In_(0.22)Ga_(0.78)As伪非晶双异质结调制掺杂场效应晶体管的温度相关特性
机译:应变p沟道InGaSb / AlGaSb调制掺杂场效应晶体管
机译:具有GaN-AlGaN调制掺杂应变层超晶格的InGaN多量子阱结构激光二极管
机译:In
机译:双掺杂双应变调制掺杂场效应晶体管:3D-SMODFET。
机译:少数分层p-WSe2场效应晶体管中的霍尔效应和场效应迁移率
机译:通过厚度调制和MoO3层掺杂来控制WSe2场效应晶体管的载流子类型
机译:在sub 0 sub 2 Ga sub 0 sub 8 as / Gaas,调制掺杂,应变层超晶格场效应晶体管