Doping; Epitaxial growth; Gallium arsenides; Density; Diodes; Dosage; Electrical properties; Films; Growth(General); Indium compounds; Ion beams; Ionic current; Layers; Liquid phases; Molecular beams; Quality; Schottky barrier devices; Structural properties; Thickness;
机译:铋对采用Ga-As-Bi熔体的液相外延(LPE)生长的GaAs层的影响
机译:液相外延在沟道InP衬底的V形凹槽中生长的InGaAsP(1.3μm):光致发光研究
机译:液相外延生长的InP / InGaAsP / InP双异质结构晶片中的错配位错
机译:通过金属有机分子束外延在Ge / P共注入InP衬底上生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过液相外延(LpE)在100 Gaas上表征和晶体生长Gaas和alxGa1-xas外延层。