机译:在独立式GaN衬底上生长的GaN和InxGa1-xN / GaN异质结构的近场光学表征
near-field scanning optical microscopy (NSOM); photoluminescence; InGaN/GaN multi-quantum wells; VAPOR-PHASE EPITAXY; QUANTUM-WELLS; RESOLVED CATHODOLUMINESCENCE; RAMAN-SCATTERING; PHOTOLUMINESCENCE; MICROSCOPY; LUMINESCENCE; HOMOEPITAXY; EXCITONS; SINGLE;
机译:在独立式GaN衬底上生长的GaN和InxGa1-xN / GaN异质结构的近场光学表征
机译:洞察原子和纳米级铟分布对在M平面独立GaN基材上生长的Ingan / GaN量子井结构的光学性质的影响
机译:在独立GaN(0001)衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的表面形态和光学性质
机译:GaN epilayers和AlGaN / GaN多量子孔在独立式中生长1100导向GaN基材
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:洞察原子和纳米级铟分布对在M平面独立GaN基材上生长的Ingan / GaN量子井结构的光学性质的影响
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管