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机译:B-构型中双稳态(CiCs)(0)缺陷在n-Si禁带中的能级位置
INTERSTITIAL-CARBON; SILICON DETECTORS; FAST-NEUTRONS; CLUSTERS; IDENTIFICATION; COMPLEXES; DAMAGE; PAIR;
机译:B-构型中双稳态(CiCs)(0)缺陷在n-Si禁带中的能级位置
机译:四方铬(III)配合物光谱中的高能构型自旋禁带
机译:预测晶体主体中Tb3 +离子自旋禁带的位置
机译:速率1/3索引编码:禁止且可行的配置
机译:高k /硅和高k /砷化镓栅极结构中的缺陷和键合结构。
机译:具有偶极子禁带跃迁的半导体生物激发的带边激光作用
机译:铬(III)复合物的圆形二中间。 II。旋转禁止吸收带区域和绝对配置的行为之间的相关性