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机译:HfO2 / SiO2纳米层压板的原子层沉积,表征和介电性能,并与它们的均质混合物进行比较
ALD; dielectric constant; hafnia; nanolaminates; silica; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; CARBON-FREE PRECURSOR; SILICATE THIN-FILMS; HIGH-K MATERIALS; COMPOSITIONAL SPREADS; ELECTRICAL-PROPERTIES; COMBINATORIAL CVD; TITANIUM-DIOXIDE; GATE DIELECTRICS; HAFNIUM;
机译:HfO2 / SiO2纳米层压板的原子层沉积,表征和介电性能,并与它们的均质混合物进行比较
机译:双层厚度对热原子层沉积生长的Al2O3-Y2O3介电纳米层压膜光学性能的影响
机译:在低温下使用原子层沉积(100-200摄氏度)在0.53ga0.47as上制造的HFO2 / AL2O3电介质的电性能
机译:在InAlAs衬底上通过原子层沉积生长的HfO2 / Al2O3栅介电纳米堆叠的表征
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:通过原子层沉积法表征掺入HfO2介质中的Al
机译:由由原子层沉积生长的铁和氧化硅组成的混合物膜和纳米胺中的磁性和电阻切换