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Design and fabrication of 10 V SINIS Josephson arrays for programmable voltage standards

机译:用于可编程电压标准的10 V SINIS Josephson阵列的设计和制造

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摘要

The fabrication and the chip layout of 69120 SINIS Josephson junction series arrays for a programmable 10 V Josephson dc voltage standard are presented. Under 70 GHz microwave irradiation, the current-voltage characteristic exhibits a non-hysteretic voltage step with a step width of 200 #mu#A. The chip can be operated with the conventional SIS Josephson voltage standard systems.
机译:介绍了用于可编程10 V Josephson直流电压标准的69120 SINIS Josephson结系列阵列的制造和芯片布局。在70 GHz微波辐射下,电流-电压特性呈现出非滞后电压阶跃,阶跃宽度为200#mu#A。该芯片可与常规SIS Josephson电压标准系统一起运行。

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