机译:具有垂直渐变的氧空位有源层的In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的正偏置应力稳定性的增强
Oxide semiconductor; Thin-film transistors; Positive bias stability; In-Ga-Zn-O; Oxygen vacancy;
机译:具有垂直渐变的氧空位有源层的In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的正偏置应力稳定性的增强
机译:氧扩散扩散引起薄有源层非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管中的偏置应力不稳定性
机译:具有低温Al_2O_3栅极电介质的In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的正偏应力不稳定性
机译:具有Al2O3 / TEOS氧化物栅极电介质的In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的正偏置应力不稳定性
机译:铟镓锌氧化物和锌锡氧化物薄膜晶体管的制造工艺评估和负偏压照明应力研究。
机译:钝化层对非晶InGaZnO薄膜晶体管正栅极偏置-应力稳定性的影响
机译:在具有各种有源层厚度的无定形Ingazno薄膜晶体管中探索光吞蓄电流和光突出的负偏置不稳定性