机译:在立方(3C)和六边形(NH)碳化硅形成的NH-SiC / 3C-SiC / NH-SiC异质结构问题中考虑自发极化
SIC POLYTYPES; STACKING-FAULTS; HETEROJUNCTIONS; ENERGY;
机译:在立方(3C)和六边形(NH)碳化硅形成的NH-SiC / 3C-SiC / NH-SiC异质结构问题中考虑自发极化
机译:3C-SiC / NH-SiC异质结上的量子阱。实验中自发极化和电场强度的计算
机译:NH / 3C / NH-SiC异质结构中自发极化引起的能量特征:一般处理
机译:自发极化效应在NH / 3C / NH-SiC异质结构能图形成中的作用:一种分析方法
机译:硅(Si)基板上的单向常态垂直碳化硅(3C-SiC)MESFET。
机译:加热的立方碳化硅3C-SiC中的3C-6H相变
机译:作为温度和压力函数的立方体对六方碳化硅的转化。