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机译:反铁磁相畴边界对Ni_2Mn(Ga_(0.5)Al_(0.5))Heusler合金中磁化过程的影响
Ni_2Mn(Ga; Al); Annealing time; Anti-phase domain boundary; Pinning of the magnetic domain wall; Magnetization process;
机译:反铁磁相畴边界对Ni_2Mn(Ga_(0.5)Al_(0.5))Heusler合金中磁化过程的影响
机译:在Al_(0.5)Ga_(0.5)N / GaN / Al_(0.5)Ga_(0.5)N量子阱中依赖于薄层载流子密度的Rashba自旋分裂
机译:具有插入的超薄Al_(0.5)Ga_(0.5)N层的多层GaN / Al_(0.5)Ga_(0.5)N量子阱中载流子定位,光学和结构性质之间的相关性
机译:p型Al_(0.5)Ga_(0.5)AS / GaAs / Al_(0.5)Ga_(0.5)中的负极和持续的正光电导性
机译:多层电化学沉积法制备厚膜Ni0.5Mn0.5-xSnx Heusler合金
机译:18.(Ga_ <0.5> Al_ <0.5>)As薄膜的结构分析(名古屋大学工学部用物理学cult攻,硕士论文摘要(1985年))
机译:空气熔化对Fe / 0.3 / 3Cr / 0.5mo / 2mn和Fe / 0.3C / 3Cr / 0.5mo / 2Ni结构合金钢的影响