Mg掺杂Al_(0.5)Ga_(0.5)N薄膜的发光性质研究

李亮; 李忠辉; 董逊; 彭大青; 张东国; 许晓军; 孙永强; 周建军; 孔月婵; 姜文海; 陈辰

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利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学特性的影响。测量表明,Mg掺杂导致在Al0.5Ga0.5N薄膜的发光谱中出现了3.9eV的发光带,其发光机理为束缚的施主-受主对(DAP)间的辐射复合跃迁。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2012年第3期|211-214|共4页
作者
李亮; 李忠辉; 董逊; 彭大青; 张东国; 许晓军; 孙永强; 周建军; 孔月婵; 姜文海; 陈辰;
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作者单位

南京电子器件研究所;

微波毫米波单片和模块电路重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
铝镓氮; 镁掺杂; 阴极射线发光; 金属有机物化学气相淀积;

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