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机译:使用InAs量子点有源区的高Q微盘激光器的制造和表征
机译:使用InAs量子点有源区的高Q微盘激光器的制造和表征
机译:基于InAs量子点样有源区的高增益1.55μm二极管激光器
机译:具有InAs量子点的GaAs光子晶体纳米腔激光器的设计,制造和光学表征,通过晶片结合到Si衬底上
机译:在GaAs衬底上具有InAs-InGaAs量子点有源区的垂直腔表面发射激光器,发射速率为1.3 / spl mu / m
机译:具有应变量子阱和量子箱有源区的激光器和相位调制器的制造与表征
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:分子束外延法制备InAs量子点及其在半导体激光器中的应用