机译:20纳米以下沟槽/线制造的液化自我限制自我完善
机译:20纳米以下沟槽/线制造的液化自我限制自我完善
机译:使用纳米压印光刻技术和通过液化的自我完善,在塑料基板上的大面积上制造直径为60 nm的完美圆形金属点阵列
机译:通过液化和反应离子刻蚀的自我完善,制造具有光滑侧壁的直径小于25 nm的亚纳米柱纳米压印模具
机译:采用混合化学收缩和SAFIER工艺的20纳米以下沟槽图案
机译:用于100nm CMOS的浅沟槽隔离和凸起的源极/漏极的设计,制造和表征。
机译:在没有金属粘附层的二氧化硅衬底上大规模制备高度有序的20 nm以下的贵金属纳米粒子
机译:用于垂直栅极 - 全邻金属氧化物半导体场效应晶体管的垂直栅极 - 全氧化物半导体场效应晶体管制备期间的方差减少