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机译:击穿电压高于20 V的溅射制成的n-InGaN / p-GaN结二极管的随温度变化的电性能
p-n Junction diode; I-V measurement; Barrier height; Leakage current; Cheungs' method; Norde method;
机译:击穿电压高于20 V的溅射制成的n-InGaN / p-GaN结二极管的随温度变化的电性能
机译:研究大块和基本螺钉错位有助于低压(> 250 V)4H-SiC p / sup +/- n结二极管的反向击穿。二。动态击穿特性
机译:研究大块和基本螺钉错位有助于低压(> 250 V)4H-SiC p / sup +/- n结二极管的反向击穿。一,直流特性
机译:利用p侧朝下的n-InGaN / p-GaN单异质结构发光二极管中的负极化优势
机译:用于二极管激光表征的经验温度相关电压模型的开发和验证
机译:频率和栅极电压对Al ∕ SiO2 ∕ p-Si金属-绝缘体-半导体肖特基二极管的介电性能和电导率的影响
机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / NGaN内置结的影响
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性