机译:使用快速热退火工艺对In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱进行显微组织和成分修饰
IFVD; TEM; Microstructure; Multi-quantum wells; InGaAs;
机译:使用快速热退火工艺对In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱进行显微组织和成分修饰
机译:利用生长中断和原位快速热退火的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As变质高电子迁移率晶体管的分子束外延生长
机译:IN_(0.53)GA_(0.47)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)AS / IN_(0.53)GA_(0.47),为双异结合连接无效TFET
机译:掺杂在基板/缓冲层界面在RashBA系数α中的in_(0.52)Al_(0.48)AS / IN_(0.53)GA_(0.47)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)中的效果,为非对称量子阱
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:H2高压退火对HfO2 / Al2O3 / In0.53Ga0.47As电容器的影响:化学成分和电特性
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。