机译:Cr / p-si肖特基势垒二极管(SBD)的正向偏置电容-电压中的负电容和异常峰的来源
Cr/p-Si Schottky barrier diodes (SBDs); C-V and G/w-V characteristics; Negative capacitance; Anomalous peak; Frequency dependent;
机译:Cr / p-si肖特基势垒二极管(SBD)的正向偏置电容-电压中的负电容和异常峰的来源
机译:(AU / TI)/ Al2O3 / N-Ga-GaAs肖特基势垒二极管(SBDS)的前偏压C-V特性温度依赖性负电容研究
机译:Au / PVA / n-Si结构的正向偏置电容-电压特性中异常峰和负电容的起源
机译:模拟前偏压有机肖特基二极管的电容 - 电压特性
机译:通过电流-电压,电容-电压和内部光发射法测量的四个氢和六个氢碳化硅的(0001),(0001bar),(11bar00)和(12bar10)晶面的肖特基势垒。
机译:Al辐射对Al / DNA / p-Si肖特基势垒二极管电子参数的计算
机译:AU / PPY / N-Si(MPS)型肖特基势垒二极管(SBD)温度依赖性反向偏置电容 - 电压(C-V)特性的研究在100 kHz和500 kHz
机译:低电容电子束制造的束引线肖特基势垒二极管。 1981年3月至1985年1月的最终技术报告