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机译:将锗和铟掺杂物的微剂量引入半导体材料的体层和表面层
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机译:在高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅衬底上的应变硅锗梯度薄层上纯锗外延生长
机译:基于分子束外延生长的梯度间隙p-Hg0.78Cd0.22Te的金属-绝缘体-半导体结构近表面半导体层中的掺杂剂
机译:散装锗和绝缘体的掺杂剂活化
机译:纳米结构体材料的热电性能研究:硅锗,硒化铟和锑化锌
机译:通过深度分析和核反应分析定量分析表面和界面层以及散装材料中的氢浓度
机译:半导体表面上氨基硅烷和硫醇单分子膜的形成以及III-V半导体的本体湿法蚀刻