机译:MOS结构中通过栅极氧化物分布的硅纳米晶体中的充电/放电对电容幅度的调制
机译:MOS结构中通过栅极氧化物分布的硅纳米晶体中的充电/放电对电容幅度的调制
机译:栅极附近的栅极氧化物中的Si纳米晶体对MOS电容的充电效应
机译:栅氧化物中分布的Si纳米晶对MOS电容的影响
机译:多晶硅栅刻蚀过程中等离子对30 / spl Aring /栅氧化天线MOS电容器结构的充电损坏
机译:紧凑的栅极电容和栅极电流建模,可用于超薄(EOT〜1 nm及以下)二氧化硅和高kappa栅极电介质。
机译:硅纳米晶体:阳离子胶体纳米晶体具有胶体稳定性pH无关的正表面电荷和尺寸可调的近红外至红色光谱范围内的光致发光(Adv。Sci。2/2016)
机译:分布在栅极氧化物中的si纳米晶对mOs电容的影响