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机译:增强模式In0.65Ga0.35As / InAs / In0.65Ga0.35As HEMT的潜力,可用于高速和低功耗逻辑应用
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机译:采用Au / Pt / Ti非退火欧姆技术制造的60nm厚增强模式In_(0.65)Ga_(0.35)As / InAs / In_(0.65)Ga_(0.35)As高电子迁移率晶体管电源逻辑应用
机译:MOS电流模式逻辑电路:高速低功耗应用中的设计考虑及其未来趋势,教程
机译:具有低SS的台面蚀刻三栅极InAs HEMT的研究,适用于低功耗逻辑应用
机译:增强和耗尽型高电子迁移率晶体管的单片集成,适用于晶格匹配的磷化铟材料系统中的低功耗和高速电路应用。
机译:用于超低功耗低噪声应用的100MTnm AlSb / InAs HEMT
机译:In0.5Al0.5As变形缓冲层上的In0.65Ga0.35As伪晶通道提高了性能
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