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机译:用于高级CMOS处理的H_2O_2 / HCl溶液中的In_(0.53)Ga_(0.47)As纳米蚀刻
机译:用于高级CMOS处理的H_2O_2 / HCl溶液中的In_(0.53)Ga_(0.47)As纳米蚀刻
机译:IN_(0.53)GA_(0.47)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)AS / IN_(0.53)GA_(0.47),为双异结合连接无效TFET
机译:InP / In_(0.53)Ga_(0.47)As界面对In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:探索ALD Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)As和Al_2O_3Ge界面特性:用于高级III-V / Ge CMOS的通用栅极堆叠方法
机译:纳米级CMOS的高级源/漏和触点设计。
机译:宽范围检测器等离子体诱导高级CMOS BEOL工艺的充电效果
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:研究OmVpE工艺参数及其与In(K)In(0.53)as性能的关系。