机译:N扩散层对4H-SiC SIT中沟道电流和击穿电压的影响
机译:N扩散层对4H-SiC SIT中沟道电流和击穿电压的影响
机译:以高k电介质为界面层的4H-SiC BJT的电流增益和击穿电压的改善
机译:离子注入形成的电流扩散层对高压4H-SiC p沟道IGBT电学性能的影响
机译:N-漫射层对4H-SiC静音电流和击穿电压的影响
机译:电压门控钠通道的演变,是根据对水生动物水母Polyorchis penicillatus的钠电流和通道的研究而得出的。
机译:具有改善的漏极电流密度和高击穿电压的高性能AlGaN双通道HEMT
机译:表面粗糙度对FLR结构4H-siC sBD击穿电压的影响