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机译:离子束溅射基于SrTIO_3的MIM电容器在IC技术上的表面电容和泄漏电流的优化
机译:离子束溅射基于SrTIO_3的MIM电容器在IC技术上的表面电容和泄漏电流的优化
机译:通过表面处理减少漏电流,从而改善了金属铁电体(PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3)-绝缘体(ZrO_2)-半导体晶体管和电容器的保持时间
机译:通过高k介电层的溅射抑制INAS雪崩光电二极管表面泄漏电流
机译:理论理解DRAM技术中使用的MIM电容器的漏电流机制所需的一些关键修改
机译:最大限度地降低HEV转换器/逆变器系统的直流电容器电流纹波和直流电容要求
机译:注:表面缺陷小对球形电容器的Smoluchowski速率常数和电容的影响
机译:锡/ HFO2 / TIN MIM电容器中的漏电流和由于电应力引起的降解