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机译:利用XPS表征研究InAs / GaSb II型应变层超晶格的蚀刻后台面表面成分
MBE; Photodiode; Superlattices; III-V semiconductors; Infrared detectors;
机译:利用XPS表征研究InAs / GaSb II型应变层超晶格的蚀刻后台面表面成分
机译:GaSb的光电容研究:In,作为InAs / GaSb II型应变层超晶格中的缺陷分析
机译:InAs / GaSb II型超晶格的结构和光学表征:固定的类似于InSb的界面的InAs和GaSb层厚度变化的影响
机译:天文观测中使用的多色II型InAs / GaSb应变层超晶格光电探测器的表征
机译:InAs / GaSb II型应变层超晶格中的缺陷研究。
机译:原子应变法测定InAs / GaSb应变层超晶格中的原子空位
机译:用于中红外检测的基于GaSb的II型InAs / GaSb超晶格光电二极管的生长和表征
机译:使用63 meV质子的双带Inas / Gasb II型应变层超晶格pBp探测器的辐射容限特性。